КомпанияTexas Instrumentsпредставила новый прибор семейства NexFET–сдвоенный MOSFET-транзистор в миниатюрном (3х3 мм) корпусе SON. Новое изделиеCSD86330Q3Dпозволяет достичь КПД более 90% при токе до 15А, занимая при этом вдвое меньшую площадь по сравнению с альтернативными решениями. Изделие значительно превосходит альтернативные решения по рассеиваемой мощности и выходному току. Оно предназначено для применения в таких областях, как серверы, настольные и мобильные компьютеры, сетевое оборудование, инфраструктура сотовой связи, высококачественная прикладная электроника и индустриальные системы электропитания. Более подробная информация доступна наwww.ti.com/powerblock-pr. ИзделиеCSD86330Q3Dпринадлежит к семейству выпускаемых TI приборов«Power Block»,уже заслужившему признание. В 2010 г. это семейство получило звание«Продукт года»от журнала Electronic Products. Ежегодно редакция журнала отбирает несколько выдающихся новых изделий из тысяч представленных. ИзделиеCSD86330Q3Dбыло выбрано за новые идеи в конструкции и значительное улучшение характеристик. Изделие также было включено в список«лучшие сто продуктов 2010 года»журнала EDN Magazine и было отмечено читателями ECN Magazine в 2010г.
Основные свойства и преимущества изделия CSD86330Q3D:
- Корпус SON размером 3х3 мм. Занимает на плате вдвое меньшую площадь, чем два дискретных транзистора.
- Улучшенная эффективность: при токе 15А превышение температуры составляет 35°С, что не требует принудительного охлаждения.
- Высокая плотность мощности, позволяющая сохранить до 10 мм²площади платы.
- Увеличенная вдвое частота переключения без увеличения потерь мощности, что позволяет уменьшить размер выходного фильтра и его стоимость.
- Корпус SON с открытой площадкой земли-теплоотвода упрощает разводку платы и улучшает тепловые характеристики.
Комментариев нет:
Отправить комментарий