ST Microelectronicsпредставляет силовые MOSFET транзисторы с низким Rdson

ST Microelectronicsпредставляет силовые MOSFET транзисторы семействаMDMESH V.Основное отличие данных транзисторов - рекордно низкое значение сопротивление открытого канала (Rdson до 22 МОм), расширеное окно рабочего напряжения сток-исток (Vds=650Ввместо 600В) и улучшенными характеристиками переключения.

 

ТехнологияMDMESH V- это самая последняя реализация собственной Multi Drain Mesh-технологии ST категории Super-Junction, впревые представленной в 2001 году. Четыре года позднее на рынке появились и стали популярны MOSFET-транзисторы MDmesh II серии NM..Nс напряжением пробоя от 300 до 650В. Не пошли в серийное производство следующие поколения приборов (3 и 4) и так и остались в виде лабораторных образцов. Пятое поколение транзисторов превосходят второе поколение MDMESH MOSFETs на 40% по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла, обеспечивая тем самым высокий КПД и плотность мощности частотных преобразователей.

 

Данное поколение представлено транзисторамиSTF42N65M5,STP42N65M5,STP12N65M5,STP32N65M5,STB32N65M5,STW30N65M5,STW35N65M5,STP30N65M5,STW32N65M5,STP16N65M5.

Вы можете заказать транзисторы в Компании"База Электроники",воспользовавшись интернет-магазином или отправить заявку на e-mail или по факсу, которые указаны в разделе"Контакты".

Источник

Интегрированный CAN-трансивер с гальванической изоляцией.

ISO1050–первый в мире интегрированныйCAN-трансиверс гальванической изоляцией.
ISO1050представляет собой первое в отрасли устройство, в котором сочетается новаторская технология гальванической изоляции Texas Instruments и CAN-интерфейс. Это дает возможность сократить число компонентов с трех до одного и упростить конструкцию печатной платы. Время задержки уменьшена на 34%, что дает разработчикам возможность применять более длинные соединительные кабели. Энергопотребление системы сокращено на 38% по сравнению с решениями на основе оптопар. Занимаемая площадь на печатной плате сокращается на 30% (при использовании микросхемы с корпусом 6,1 мм), что важно для высоковольтных систем.

Структурная схема ISO1050

Дополнительные характеристики и преимущества:

• Сверхнизкое электромагнитное излучение (ЭМИ) допускает использование микросхемы в чувствительных аналоговых системах, например, в промышленных датчиках
• Емкостная технология устройств развязки TI обеспечивает гальваническую развязку до 4000В и срок службы более 25 лет.
• Соответствует требованиям стандарта ISO11898
• Соответствует частотным требованиям DeviceNet и CAN
• Широкий рабочий температурный диапазон от–55°Cдо 105°Cделает возможным большое число видов промышленного применения микросхемы.

Источник

Широкополосные высокочастотные делители на 2 и 3 выхода

ВЧ-делители PD-210 и PD-310

Широкополосные высокочастотные делители (splitters) на 2 и 3 выхода предназначены для использования вGSM,GPSи аппаратуре диапазона 2400 МГц. Делители позволяют подключить к одной антенне несколько приемников сигнала– 2для моделиPD-210и 3 для моделиPD-310.Рабочая полоса частот лежит в диапазоне от 800 до 2500 МГц. Крепкий металлический корпус и большие надежные разъемы N-типа позволяют использовать эти делители в продукции любого назначения.

Основные характеристики

• Частотный диапазон 800-2500 МГц
• Входной импеданс 50 Ом
• КСВН<1.35:1
• Вносимые потери<0.3dB
• Макс. входная мощность 100 Вт
• Диэлектрик PTFE (политетрафторэтилен)
• Типовой вес 250г.
• Размеры (мм) PD210 98x58x20, PD310 135x85x20

Источник