Компания International Rectifier представила новое семейство HEXFET MOSFET в новомPQFNкорпусе 3×3мм и 5×6мм,рассчитанных на напряжения25В и 30В.Новые транзисторы особенно эффективны для мощных низковольтных DC-DC преобразователей.
В результате того, что данные транзисторы выполнены по улучшенной технологии производства, общее сопротивление корпуса было значительно уменьшено, а также получено ультранизкое сопротивление открытого канала Rds(on). Дополнительно к низкому Rds(on), новые MOSFET демонстрируют улучшенные тепловые характеристики и надежность.
Данное семейство включает транзисторы, оптимизированные для применения в качестве“управляющих” MOSFETдля DC/DC конвертеров (имеющие малое сопротивление затвора Rg для уменьшения потерь при переключении), а также“синхронные” FETKY MOSFETс малыми потерями на проводимость.
| Наименование | Корпус | Vds | Vgsмакс. | Rds(on)тип.@10В (мОм) | Qgтип.@4.5В (нКл) | Особенности |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM831TR2PBF | PQFN 3×3 | 30V | ±20V | 6.6 | 7.3 | Низкое Rg |
| IRFHM830DTR2PBF | PQFN 3×3 | 30V | ±20V | 3.4 | 13 | FETky |
| IRFHM830TR2PBF | PQFN 3×3 | 30V | ±20V | 3 | 15 | |
| IRFH5303TR2PBF | PQFN 5×6 | 30V | ±20V | 3.6 | 15 | Низкое Rg |
| IRFH5304TR2PBF | PQFN 5×6 | 30V | ±20V | 3.8 | 16 | |
| IRFH5306TR2PBF | PQFN 5×6 | 30V | ±20V | 6.9 | 7.8 | |
| IRFH5255TR2PBF | PQFN 5×6 | 25V | ±20V | 5 | 7 | Низкое Rg |
| IRFH5250DTR2PBF | PQFN 5×6 | 25V | ±20V | 1 | 39 | FETky |
Комментариев нет:
Отправить комментарий