ST Microelectronicsпредставляет силовые MOSFET транзисторы семействаMDMESH V.Основное отличие данных транзисторов - рекордно низкое значение сопротивление открытого канала (Rdson до 22 МОм), расширеное окно рабочего напряжения сток-исток (Vds=650Ввместо 600В) и улучшенными характеристиками переключения.
ТехнологияMDMESH V- это самая последняя реализация собственной Multi Drain Mesh-технологии ST категории Super-Junction, впревые представленной в 2001 году. Четыре года позднее на рынке появились и стали популярны MOSFET-транзисторы MDmesh II серии NM..Nс напряжением пробоя от 300 до 650В. Не пошли в серийное производство следующие поколения приборов (3 и 4) и так и остались в виде лабораторных образцов. Пятое поколение транзисторов превосходят второе поколение MDMESH MOSFETs на 40% по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла, обеспечивая тем самым высокий КПД и плотность мощности частотных преобразователей.
Данное поколение представлено транзисторамиSTF42N65M5,STP42N65M5,STP12N65M5,STP32N65M5,STB32N65M5,STW30N65M5,STW35N65M5,STP30N65M5,STW32N65M5,STP16N65M5.
Вы можете заказать транзисторы в Компании"База Электроники",воспользовавшись интернет-магазином или отправить заявку на e-mail или по факсу, которые указаны в разделе"Контакты".
Комментариев нет:
Отправить комментарий